国际最高水平！中国造出首颗6英寸氧化镓单晶
发布时间：2023-02-28 13:43:38 所属栏目：动态 来源：
导读：据中国电子科技集团有限公司(中国电科)官方消息，近日，我国首颗6英寸氧化镓单晶在公司46所完成研究、测试和制备,达到国际先进水平。
氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子
氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子
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据中国电子科技集团有限公司(中国电科)官方消息，近日，我国首颗6英寸氧化镓单晶在公司46所完成研究、测试和制备,达到国际先进水平。 氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。 不过，氧化镓具有高熔点、高温分解、易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶的制备极为困难。 中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，最终成功构建了稳定的适用于6英寸高功率氧化镓太阳能电池单晶生长的热场结构。 这一成果突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 近年来，中国电科在氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体材料领域取得了重大突破和标志性成果，有力支撑了我国超宽禁带半导体材料的发展。目前，中国电科已成为全球最大的超宽禁带半导体材料生产商，产品覆盖硅基、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硼、碳化硅等多个应用领域。 （编辑：聊城站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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