1nm以下核心技术 英特尔研发2D芯片工艺
发布时间：2023-06-24 13:32:54 所属栏目：产品 来源：
导读：随着近十几年来半导体制造技术不断完善，摩尔定律一直被认为放缓甚至失效, 10nm以下半导体制造的难度在加大，未来10年还要进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。
在这个领域，英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶
在这个领域，英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶
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随着近十几年来半导体制造技术不断完善，摩尔定律一直被认为放缓甚至失效, 10nm以下半导体制造的难度在加大，未来10年还要进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。 在这个领域，英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代，在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术，再往后又需要改变晶体管结构了，英特尔的目标是全新的2D TMD材料。 其中的2D指的是单层原子组成的结晶体，TMD则是过渡金属二硫化物的简称，具体包括二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）等材料，这些新材料可实现小于1nm的沟槽厚度，同时具有更好的带隙和迁移率，也就是高性能、低功耗优势。 制备2D TMD材料并不容易，为此英特尔日前宣布跟欧洲CEA-Leti达成合作协议，开发300mm晶圆上的2D TMD层转移技术，后者是这方面的专家， 开发人员可提供高度专业的键合及层图案转移过程的技术支持，进一步便于英特尔制造出最终的高性能硅基芯片。 这个过程可能需要很多年，英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律，也就是进一步提升晶体管密度，提升性能，降低成本功耗等。在英特尔看来，这个过程是非常漫长的，因为摩尔定律已经不能满足当前的需求了，所以他们需要不断地突破，才能保持领先地位。 （编辑：聊城站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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