我科研人员为氧化镓晶体管寻到新结构方案
发布时间：2023-02-27 08:59:38 所属栏目：动态 来源：
导读：从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，首次研制出了氧化镓槽栅场效应晶体管,利用氧气氛围退火和氮离子注入工艺,使其与激光光刻技术相适应。
作为新一代功率半导
作为新一代功率半导
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从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，首次研制出了氧化镓槽栅场效应晶体管,利用氧气氛围退火和氮离子注入工艺,使其与激光光刻技术相适应。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题，因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管。 研究人员分别采用氧气氛围退火和氮离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层，并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。氧气氛围退火和氮离子注入所形成的电流阻挡层均能够有效隔绝晶体管源、漏极之间的电流路径，当施加正栅压后，偏振光会在发光二极管栅槽侧壁形成减少电子积累的导电通道，因而可以实现对偏振光电流的选择性调控，从而可以实现对电流的一定程度的调控。类似于硅经过氧气氛围退火处理可形成高阻表面层，氧化镓采用该手段制备电流阻挡层具有缺陷少、无扩散、成本低等特点，器件的击穿电压可达到534伏特，为目前电流阻挡层型氧化镓MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件最高值，功率品质因数超过了硅单极器件的理论极限。 研究人员表示，这两项工作为氧化镓晶体管找到了新的技术路线和结构方案。在未来，氧化锆陶瓷将成为下一代显示器的主要材料。而氧化锆陶瓷的发展，也将推动半导体行业的发展。 （编辑：聊城站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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