华裔科学家晶体管研究实现新突破不用光刻机也能生产高端芯片
发布时间：2023-05-27 10:03:20 所属栏目：动态 来源：
导读：传统的半导体芯片性能主要依靠多层晶体管的密集堆叠,而现在发展电脑芯片所需的元素随着 AI的兴起越来越贵。
麻省理工学院（MIT）华裔科学家朱家迪领军的原子级晶体管研究于 4 月取得突破，该项目采用气象沉淀逐层
麻省理工学院（MIT）华裔科学家朱家迪领军的原子级晶体管研究于 4 月取得突破，该项目采用气象沉淀逐层
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传统的半导体芯片性能主要依靠多层晶体管的密集堆叠,而现在发展电脑芯片所需的元素随着 AI的兴起越来越贵。 麻省理工学院（MIT）华裔科学家朱家迪领军的原子级晶体管研究于 4 月取得突破，该项目采用气象沉淀逐层堆叠工艺生产，不再需要使用光刻机，即可生产出一纳米甚至以下制程的芯片。这将使计算机的尺寸缩小到只有目前的千分之一大小，而且功耗也只有目前的千分之一。 新晶体管只有大约三个原子的厚度，因此堆叠起来可以制造成本更低，性能更强大的芯片。麻省理工学院的研究人员也因此开发了一种新技术，可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生长”金属二硫化物 (TMD) 材料层，以实现芯片晶体管更密集的集成性。 由于芯片制造过程通常需要大约 600 摄氏度的温度，而硅晶体管和电路在加热到 400 摄氏度以上时可能会损坏，因此晶体管制作材料无法直接“自由生长”到半导体制程的硅晶圆上至今为止是一直以来的一项重大挑战。 现在，麻省理工学院研究人员的跨学科团队已经开发出一种不会损坏芯片的低温“生长”工艺。该技术允许将二维半导体晶体管直接集成在标准硅电路之中。 新技术还能够显著减少生长这些材料所需的时间。以前的方法需要超过一天的时间来制造芯片用的单层二维材料，而新方法可以在不到一个小时的时间内在整个 8 英寸晶圆上“生长”出均匀的金属二硫化物 (TMD) 材料层。 业内人士认为，如若这项新技术实现了正式落地，可以大幅降低智能手机当下高端芯片的成本，从而降低整个智能硬件高端旗舰手机市场的价格。 （编辑：聊城站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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